一、 深纺织A2021年度净利润预增34.16%-87.83%

1月29日，深纺织Ａ发布公告，预计2021年度归属于上市公司股东的净利润5000万元–7000万元，同比增长34.16%-87.83%；扣除非经常性损益后的净利润3400万元–4800万元，同比增长88.01%-165.42%。

报告期归属于上市公司股东的净利润较上年同期有较大幅度增长，主要原因：一是2021年偏光片市场行情总体稳定向好，公司进一步优化订单结构，平均毛利率稳步提高；二是2020年应对新冠疫情支持企业共渡难关，公司积极响应深圳市委市政府及国资委的号召对部分租户减免2020年度二、三及十一月份租金，本期租金收入同比大幅增加。

公司超大尺寸电视用偏光片项目(7号线)于2021年7月份正式投产进入爬坡阶段，较高的固定资产折旧、摊销，导致产品单位制造成本较高，同时，公司增加研发投入，对公司2021年下半年业绩造成一定影响。随着7号线爬坡的实质性推进，车速和良率等主要技术指标提升，主要客户产品陆续完成导入，超大尺寸订单稳定增长，产能持续释放，经营业绩逐月改善。

报告期内，公司预计非经常性损益对归属于上市公司股东的净利润的影响金额约2103万元，主要为深圳市深纺进出口有限公司的清算收益和政府补助收入。（文章来源：深纺织A）

日前，国家科技部公布了“十四五”国家重点研发计划“稀土新材料”重点专项2021年度立项结果，中国工程院彭寿院士团队、黄小卫院士团队、聂祚仁院士团队联合国内主流面板企业共同申报的“高端显示玻璃基板用稀土抛光材料及其应用关键技术”项目成功入围。凯盛科技集团所属中建材蚌埠玻璃工业设计研究院和蚌埠中光电科技有限公司负责项目核心课题“高世代大尺寸玻璃基板超精密超净磨抛工艺技术”的研究开发。

项目由河北雄安稀土功能材料创新中心有限公司牵头承担，中建材蚌埠玻璃工业设计研究院、蚌埠中光电科技有限公司、有研稀土高技术有限公司、京东方科技集团股份有限公司、北京工业大学等5家单位协同参与。

按照项目实施方案的总体部署，中建材蚌埠院和蚌埠中光电将针对超高清显示对高世代玻璃基板表面精度要求极高的特征，基于项目自主研发的稀土抛光材料，揭示磨抛介质同玻璃表面机械与化学协同作用机理，建立纳米级高精度磨抛工艺模型，突破高世代大尺寸浮法玻璃基板精密磨抛技术，助力我国高世代液晶玻璃基板产业高质量发展。（文章来源：蚌埠中光电）

光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工，同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。

由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，将光刻胶涂覆半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。

在整个生产过程中，光刻胶中除了主体树脂和光致产酸剂外，往往还要加入酸扩散抑制剂，其主要作用是在曝光前阻止成膜树脂的溶解，起阻溶作用，曝光后光刻胶中的光产酸剂所产生的酸则催化其脱去酸敏基团，使得酸扩散抑制剂变成极性化合物，进而促进树脂的溶解，从而增大了非曝光区与曝光区的溶解反差，提高抗蚀剂的分辨率。

目前，市面上可供光刻胶使用的酸扩散抑制剂仅仅只是在结构中增加一定数量的羟基，以增强其与树脂间的相容性，并未解决如何进一步改善光刻胶的分辨率的技术方案。因此，现有技术还有待改善。而南大光电则在2021年1月22日申请了一项名为“一种高分辨率光刻胶”的发明专利（申请号：202110089845.2），申请人为宁波南大光电材料有限公司。

在该专利中，发明了一种新型的高分辨率光刻胶方案，根据该专利目前公开的相关资料，让我们一起来看看这项技术方案吧。

在该方案中，主要采用含有双酯结构的光致产酸剂、带酯键的酸扩散抑制剂以及特定结构的成膜树脂来生产、制造高分辨率光刻胶，这些材料的混合，可以使得高分辨率光刻胶表现出较好的光刻性能。

其制备方法主要如下：首先，在氮气保护环境下，将98g的马来酸酐溶解于100g甲苯中后，加入220g的环己醇以及50g的对甲苯磺酸，搅拌均匀后升温至90℃进行酯化反应12h，加入100g乙酸乙酯并使用50mL的去离子水洗涤两次，然后干燥有机层，脱溶得到162g的丁二酸酯类化合物。经检测，该过程中的转化率为58％。

其次，取56g的丁二酸酯类化合物溶于200g的去离子水中，加入25g的亚硫酸钠，混合均匀后在100℃条件下反应24h，反应完成后采用500g的乙酸乙酯进行萃取，然后脱溶，得到47g的双酯基磺酸钠化合物。经检测，该过程中的转换率为61％。

接着，取38g的双酯基磺酸钠化合物溶于100g去离子水中，滴加150g的三苯基氯化硫鎓盐水溶液(质量分数20％)，搅拌12h后，采用500g的二氯甲烷进行萃取。然后采用50g的去离子水洗两次，水洗后使用无水硫酸镁干燥，脱溶得到38g的含双酯结构的光致酸产生剂。经检测，该过程中的转换率为62％。

最后，将通过上述过程制备得到的高分辨率光刻胶在硅片上以2500转/分钟的速度旋转成膜，然后在120℃热板上烘烤90s，烘烤完成后在曝光机上机上以曝光强度45mJ/cm2的光照曝光，曝光完成后在110℃热板上烘烤90s，最后在2.38％TMAH显影液中显影60s，然后烘干在电子显微镜检测光刻。

该方案得到的光刻图像如上图所示，可以看出，该方案制备得到的光刻胶减小了制作的电路的线宽和线宽粗糙度，其中含双酯结构的光致酸产生剂能产生有效的可控大体积酸，同时添加与带酯键的酸扩散抑制剂后可制备出高分辨率光刻胶，极大的提升光刻胶的分辨率。同时，该材料与树脂相容，提高了成膜后黏附性，改善了光刻胶的整体性能。

以上就是南大光电发明的高分辨率光刻胶方案，这种光刻胶在采用含双酯结构的光致酸产生剂的条件下，通过添加带酯键的酸扩散抑制剂，进一步改善了光刻胶的线宽粗糙度，不仅提高了光刻胶的分辨率，也增强了光刻胶的成膜能力。（文章来源：集微网）